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对比
Y2N655S
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SO-8
- 品牌名称Silicon Billion(硅兆)
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商品型号
Y2N655S -
商品编号
Y2N655S -
商品封装
SO-8 -
分类
场效应管(MOSFET)
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商品参数
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属性 | 参数值 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 43mΩ@10V,5A | |
| 功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 300pF@30V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 18pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
梯度
售价
1+￥2.86
10+￥2.32
30+￥2.09
100+￥1.8
500+￥1.49
1000+￥1.41
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