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对比
STD12N06T4-VB
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TO-252
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
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商品型号
STD12N06T4-VB -
商品编号
STD12N06T4-VB -
商品封装
TO-252 -
分类
场效应管(MOSFET)
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商品参数
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属性 | 参数值 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 73mΩ@10V,18.2A | |
| 功率 | 2.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | - | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 660pF@30V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 40pF@30V |
梯度
售价
1+￥1.37
10+￥1.34
30+￥1.32
100+￥1.3
库存总量
(单位：15个)-
仓库库存数量
15
购买数量
个
起订量：1 个