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对比
FQD2N60CTM
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TO-252(DPAK)
- 品牌名称onsemi(安森美)
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商品型号
FQD2N60CTM -
商品编号
FQD2N60CTM -
商品封装
TO-252(DPAK) -
分类
场效应管(MOSFET)
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商品参数
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属性 | 参数值 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.7Ω@10V,0.95A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@480V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 235pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
参数完善中
梯度
售价
1+￥3.65
10+￥3.04
30+￥2.73
100+￥2.43
500+￥1.89
1000+￥1.8
库存总量
(单位：2316个)-
仓库库存数量
2316
购买数量
个
起订量：1 个
