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对比
FDS4935BZ
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SOIC-8
- 品牌名称onsemi(安森美)
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商品型号
FDS4935BZ -
商品编号
FDS4935BZ -
商品封装
SOIC-8 -
分类
场效应管(MOSFET)
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商品参数
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属性 | 参数值 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@10V,6.9A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.36nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
参数完善中
梯度
售价
1+￥4.88
10+￥4.04
30+￥3.62
100+￥3.21
库存总量
(单位：486个)-
仓库库存数量
486
购买数量
个
起订量：1 个
