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IV1Q06040T4商品缩略图

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IV1Q06040T4

  • TO-247-4

  • 品牌名称inventchip(瞻芯电子)
  • 商品型号

    IV1Q06040T4
  • 商品编号

    IV1Q06040T4
  • 商品封装

    TO-247-4
  • 分类

    碳化硅场效应管(MOSFET)

  • 商品参数

属性 参数值
商品目录 碳化硅场效应管(MOSFET)
封装类型 单管
沟道类型 1个N沟道
配置 -
V(BR)DSS-漏源击穿电压 650V
Id-漏极电流(25℃) 72A
Pd-功耗 348W
Vgs(th)-栅源阈值电压 3.2V
RDS(on)-导通电阻(20V) 40mΩ
RDS(on)-导通电阻(18V) -
RDS(on)-导通电阻(15V) -
RDS(on)-导通电阻(10V) -
Qg-栅极电荷 110.8nC
Ciss-输入电容 2692pF
Crss-反向传输电容 10.8pF
工作温度 -55℃~+175℃

数据手册PDF

梯度
售价
1+¥75.57
10+¥69.35
30+¥64.12
90+¥59.56

库存总量

(单位:10个)
  • 仓库库存数量

    10

购买数量

起订量:1 个
总价金额: 75.57